Japanese
Albanian
Arabic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bengali
Bosnian
Catalan
Czech
Danish
Deutsch
Dutch
English
Estonian
Finnish
Français
Greek
Haitian Creole
Hebrew
Hindi
Hungarian
Icelandic
Indonesian
Irish
Italian
Japanese
Korean
Latvian
Lithuanian
Macedonian
Mongolian
Norwegian
Persian
Polish
Portuguese
Romanian
Russian
Serbian
Slovak
Slovenian
Spanish
Swahili
Swedish
Turkish
Ukrainian
Vietnamese
Български
中文(简体)
中文(繁體)

tungsten/atrophy

リンクがクリップボードに保存されます
6 結果

Semiconductor stack having a dielectric sidewall for prevention of oxidation of tungsten in tungsten capped poly-silicon gate electrodes

登録ユーザーのみが記事を翻訳できます
ログインサインアップ
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention This invention relates to the fabrication of integrated circuit devices and, more particularly, to the fabrication of poly-silicon gate electrodes forming an integral part of the selected integrated circuit components. 2. Description of the

Cobalt-based alloy electroless plating solution and electroless plating method using the same

登録ユーザーのみが記事を翻訳できます
ログインサインアップ
This application claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2005-0133505 filed on Dec. 29, 2005 in the Korean Intellectual Property Office, the disclosure of which is incorporated herein in its entirety by reference. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a

Method of manufacturing the thermal fluid flow sensor

登録ユーザーのみが記事を翻訳できます
ログインサインアップ
CLAIM OF PRIORITY The present application claims priority from Japanese patent application JP 2011-066964 filed on Mar. 25, 2011, the content of which is hereby incorporated by reference into this application. FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a thermal sensor and a method of

Photocatalyst material and method for producing same

登録ユーザーのみが記事を翻訳できます
ログインサインアップ
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photocatalyst material and to a method for producing the same. More particularly, the present invention relates to a visible light responsive photocatalyst material and to a method for producing the same. BACKGROUND ART In recent years, attention is

Semiconductor device and SOI substrate

登録ユーザーのみが記事を翻訳できます
ログインサインアップ
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor devices and SOI substrates, and particularly to a semiconductor device and an SOI substrate having improved insulating film and improved buried insulating film forming semiconductor elements. 2.

Gold wire for semiconductor element connection

登録ユーザーのみが記事を翻訳できます
ログインサインアップ
CROSS-REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS This is the U.S. national phase application under 35 U.S.C. .sctn.371 of International Patent Application No. PCT/JP2007/056011, filed Mar. 23, 2007, and claims the benefit of Japanese Application Nos. 2006-082565, filed Mar. 24, 2006 and 2007-015430 filed
Facebookページに参加する

科学に裏打ちされた最も完全な薬草データベース

  • 55の言語で動作します
  • 科学に裏打ちされたハーブ療法
  • 画像によるハーブの認識
  • インタラクティブGPSマップ-場所にハーブをタグ付け(近日公開)
  • 検索に関連する科学出版物を読む
  • それらの効果によって薬草を検索する
  • あなたの興味を整理し、ニュース研究、臨床試験、特許について最新情報を入手してください

症状や病気を入力し、役立つ可能性のあるハーブについて読み、ハーブを入力して、それが使用されている病気や症状を確認します。
*すべての情報は公開された科学的研究に基づいています

Google Play badgeApp Store badge