Romanian
Albanian
Arabic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bengali
Bosnian
Catalan
Czech
Danish
Deutsch
Dutch
English
Estonian
Finnish
Français
Greek
Haitian Creole
Hebrew
Hindi
Hungarian
Icelandic
Indonesian
Irish
Italian
Japanese
Korean
Latvian
Lithuanian
Macedonian
Mongolian
Norwegian
Persian
Polish
Portuguese
Romanian
Russian
Serbian
Slovak
Slovenian
Spanish
Swahili
Swedish
Turkish
Ukrainian
Vietnamese
Български
中文(简体)
中文(繁體)

hafnium/atrofiere

Linkul este salvat în clipboard
ArticoleStudii cliniceBrevete
5 rezultate
In this research, the hafnium titanate oxide thin films, TixHf1-xO₂, with titanium contents of x = 0, 0.25, 0.9, and 1 were deposited on germanium substrates by atomic layer deposition (ALD) at 300 °C. The approximate deposition rates of 0.2 Å and 0.17 Å per cycle were obtained for titanium oxide
We have used a sol-gel spin-coating process to fabricate a new metal-insulator-metal (MIM) capacitor comprising a 10 nm-thick high-k thin dielectric HfO(2) film on a flexible polyimide (PI) substrate. The surface morphology of this HfO(2) film was investigated using atomic force microscopy and

Chemically assisted directed assembly of carbon nanotubes for the fabrication of large-scale device arrays.

Numai utilizatorii înregistrați pot traduce articole
Log In / Înregistrare
We report the directed assembly of single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) at lithographically defined positions on gate oxide surfaces, allowing for the high yield ( approximately 90%) and parallel fabrication of SWCNT device arrays. SWCNTs were first chemically functionalized through diazonium

Group 4 transition metal-benzene adducts: carbon ring deformation upon complexation.

Numai utilizatorii înregistrați pot traduce articole
Log In / Înregistrare
Benzene is reacted with titanium, zirconium, and hafnium metal atoms, which are produced by laser-ablation. The M(C(6)H(6)), M(C(6)H(6))(2), and M(2)(C(6)H(6))(3) complexes are formed, isolated in solid argon, and identified by infrared spectroscopy using isotopic substitution of the benzene

Nanometre-thin indium tin oxide for advanced high-performance electronics.

Numai utilizatorii înregistrați pot traduce articole
Log In / Înregistrare
Although indium tin oxide (ITO) is widely used in optoelectronics due to its high optical transmittance and electrical conductivity, its degenerate doping limits exploitation as a semiconduction material. In this work, we created short-channel active transistors based on an ultra-thin (down to 4 nm)
Alăturați-vă paginii
noastre de facebook

Cea mai completă bază de date cu plante medicinale susținută de știință

  • Funcționează în 55 de limbi
  • Cure pe bază de plante susținute de știință
  • Recunoașterea ierburilor după imagine
  • Harta GPS interactivă - etichetați ierburile în locație (în curând)
  • Citiți publicațiile științifice legate de căutarea dvs.
  • Căutați plante medicinale după efectele lor
  • Organizați-vă interesele și rămâneți la curent cu noutățile de cercetare, studiile clinice și brevetele

Tastați un simptom sau o boală și citiți despre plante care ar putea ajuta, tastați o plantă și vedeți boli și simptome împotriva cărora este folosit.
* Toate informațiile se bazează pe cercetări științifice publicate

Google Play badgeApp Store badge