tungsten/атрофия

Ссылка сохраняется в буфер обмена

Выберите тип сортировки

6 полученные результаты

Semiconductor stack having a dielectric sidewall for prevention of oxidation of tungsten in tungsten capped poly-silicon gate electrodes

Только зарегистрированные пользователи могут переводить статьи

Войти Зарегистрироваться

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention This invention relates to the fabrication of integrated circuit devices and, more particularly, to the fabrication of poly-silicon gate electrodes forming an integral part of the selected integrated circuit components. 2. Description of the

Cobalt-based alloy electroless plating solution and electroless plating method using the same

Только зарегистрированные пользователи могут переводить статьи

Войти Зарегистрироваться

This application claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2005-0133505 filed on Dec. 29, 2005 in the Korean Intellectual Property Office, the disclosure of which is incorporated herein in its entirety by reference. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a

Method of manufacturing the thermal fluid flow sensor

Только зарегистрированные пользователи могут переводить статьи

Войти Зарегистрироваться

CLAIM OF PRIORITY The present application claims priority from Japanese patent application JP 2011-066964 filed on Mar. 25, 2011, the content of which is hereby incorporated by reference into this application. FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a thermal sensor and a method of

Photocatalyst material and method for producing same

Только зарегистрированные пользователи могут переводить статьи

Войти Зарегистрироваться

TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photocatalyst material and to a method for producing the same. More particularly, the present invention relates to a visible light responsive photocatalyst material and to a method for producing the same. BACKGROUND ART In recent years, attention is

Semiconductor device and SOI substrate

Только зарегистрированные пользователи могут переводить статьи

Войти Зарегистрироваться

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor devices and SOI substrates, and particularly to a semiconductor device and an SOI substrate having improved insulating film and improved buried insulating film forming semiconductor elements. 2.

Gold wire for semiconductor element connection

Только зарегистрированные пользователи могут переводить статьи

Войти Зарегистрироваться

CROSS-REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS This is the U.S. national phase application under 35 U.S.C. .sctn.371 of International Patent Application No. PCT/JP2007/056011, filed Mar. 23, 2007, and claims the benefit of Japanese Application Nos. 2006-082565, filed Mar. 24, 2006 and 2007-015430 filed

Присоединяйтесь к нашей
странице facebook

Herbal & Natural Medicine

Самая полная база данных о лекарственных травах, подтвержденная наукой

Работает на 55 языках
Травяные лекарства, подтвержденные наукой
Распознавание трав по изображению
Интерактивная карта GPS - отметьте травы на месте (скоро)
Прочтите научные публикации, связанные с вашим поиском
Ищите лекарственные травы по их действию
Организуйте свои интересы и будьте в курсе новостей исследований, клинических испытаний и патентов

Введите симптом или заболевание и прочтите о травах, которые могут помочь, введите лекарство и узнайте о болезнях и симптомах, против которых оно применяется.
* Вся информация основана на опубликованных научных исследованиях.