hafnium/atrophy

Lidhja ruhet në kujtesën e fragmenteve

Zgjidhni llojin e renditjes

5 rezultatet

Electrical Properties and Interfacial Studies of HfxTi1-xO₂ High Permittivity Gate Insulators Deposited on Germanium Substrates.

Vetëm përdoruesit e regjistruar mund të përkthejnë artikuj

Identifikohuni Regjistrohu

In this research, the hafnium titanate oxide thin films, TixHf1-xO₂, with titanium contents of x = 0, 0.25, 0.9, and 1 were deposited on germanium substrates by atomic layer deposition (ALD) at 300 °C. The approximate deposition rates of 0.2 Å and 0.17 Å per cycle were obtained for titanium oxide

Improved reliability from a plasma-assisted metal-insulator-metal capacitor comprising a high-k HfO2 film on a flexible polyimide substrate.

Vetëm përdoruesit e regjistruar mund të përkthejnë artikuj

Identifikohuni Regjistrohu

We have used a sol-gel spin-coating process to fabricate a new metal-insulator-metal (MIM) capacitor comprising a 10 nm-thick high-k thin dielectric HfO(2) film on a flexible polyimide (PI) substrate. The surface morphology of this HfO(2) film was investigated using atomic force microscopy and

Chemically assisted directed assembly of carbon nanotubes for the fabrication of large-scale device arrays.

Vetëm përdoruesit e regjistruar mund të përkthejnë artikuj

Identifikohuni Regjistrohu

We report the directed assembly of single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) at lithographically defined positions on gate oxide surfaces, allowing for the high yield ( approximately 90%) and parallel fabrication of SWCNT device arrays. SWCNTs were first chemically functionalized through diazonium

Group 4 transition metal-benzene adducts: carbon ring deformation upon complexation.

Vetëm përdoruesit e regjistruar mund të përkthejnë artikuj

Identifikohuni Regjistrohu

Benzene is reacted with titanium, zirconium, and hafnium metal atoms, which are produced by laser-ablation. The M(C(6)H(6)), M(C(6)H(6))(2), and M(2)(C(6)H(6))(3) complexes are formed, isolated in solid argon, and identified by infrared spectroscopy using isotopic substitution of the benzene

Nanometre-thin indium tin oxide for advanced high-performance electronics.

Vetëm përdoruesit e regjistruar mund të përkthejnë artikuj

Identifikohuni Regjistrohu

Although indium tin oxide (ITO) is widely used in optoelectronics due to its high optical transmittance and electrical conductivity, its degenerate doping limits exploitation as a semiconduction material. In this work, we created short-channel active transistors based on an ultra-thin (down to 4 nm)

Bashkohuni në faqen
tonë në facebook

Herbal & Natural Medicine

Baza e të dhënave më e plotë e bimëve medicinale e mbështetur nga shkenca

Punon në 55 gjuhë
Kurime bimore të mbështetura nga shkenca
Njohja e bimëve nga imazhi
Harta GPS interaktive - etiketoni bimët në vendndodhje (së shpejti)
Lexoni botime shkencore në lidhje me kërkimin tuaj
Kërkoni bimë medicinale nga efektet e tyre
Organizoni interesat tuaja dhe qëndroni në azhurnim me kërkimet e lajmeve, provat klinike dhe patentat

Shkruani një simptomë ose një sëmundje dhe lexoni në lidhje me barërat që mund të ndihmojnë, shtypni një barishte dhe shikoni sëmundjet dhe simptomat që përdoren kundër.
* I gjithë informacioni bazohet në kërkimin shkencor të botuar